三星开始批量生产其新的内存芯片，该公司要求提高智能手机和其他移动应用的效率和降低电池漏极。
与其他旗舰智能手机中使用的芯片相比，第一个第二代10纳米级（1Y-NM），LPDDR4X（低功耗，双数据速率，4x）DRAM功能高达10％的功率降低，同时保持相同的数据速率为4,266Mbps。
SEWON Chun，SVP Memory Serober＆Marketing在Samsung Electronics中表示，“10nm级移动DRAM的出现将能够显着增强下一代，旗舰移动设备的解决方案，这应该首先将在今年晚些时候或2019年第一部分达到市场。
“我们将继续发展我们的Premium DRAM阵容，以引领”高性能，高容量和低功耗“的记忆分段，以满足市场需求并加强我们的业务竞争力。”
三星表示，它通过组合10nm-Scass 16GB LPDDR4X DRAM芯片（16GB = 2GB）来创建了8GB LPDDR4X移动DRAM包。这款四通道包可以实现每秒34.1GB的数据速率，其厚度从第一局包装减少了20％以上，使OEM能够设计更纤薄但更有效的移动设备。
凭借其LPDDR4X进步，三星将通过提供各种高容量产品，包括4GB，6GB和8GB LPDDR4X套餐，迅速扩展其在市场上的移动DRAM份额。
